40В Super-GaN FET 160A транзистор GaN
- Описание продукта
-
P/N:YZPST-RGN040C024 40В Super-GaN FET40В, 160А, 4,3 мОм, Super-GaN FET в FCQFN 3x4ОсобенностиТехнология HEMT E-типа на основе нитрида галлия на кремнииОчень низкий заряд затвораУльтранизкое сопротивление включенияОчень малый форм-факторПримененияВысокочастотный DC-DC преобразователь, точка нагрузкиЗарядное устройство для ПК с отслеживанием огибающей RFПортативный внешний аккумулятор, драйвер двигателя
Контакт Информация
Контакт
Описание контактов
Функция контакта
1, 2, 24, 25
Затвор
Драйвер затвора
3-7, 9, 11-20, 22
Источник
Источник
8, 10, 21, 23
Стоки
Питание Стоки
Основные характеристики параметров при T J = 25 °C
Параметр
Значение
Единица
В DS,max
40
В
R DS ( вкл ), макс @ В GS = 5 В
4.3
мОм
Q G,тип @ В DS = 20В
6.2
нКл
I DS,импульс
160
А
Q OSS @ В DS = 20В
14
нКл
Максимальные Номиналы при T J = 25 ° C если иначе не .
СИМВОЛ
ПАРАМЕТР
МАКС
ЕДИНИЦА
В DS
Напряжение сток-исток (постоянное) возраст
40
В
I D
Постоянный ток
24
А
Импульсный (25˚C, T Импульс = 300 мкс)
160
А
В GS
Напряжение затвор-исток
6
В
Напряжение затвор-исток
-4
В
P общ
Потребляемая мощность (T c, снизу = 25°C)
43
Вт
T J
Рабочая температура
-40 до 150
˚C
T STG
Температура хранения
-40 до 150
˚C
Обзор корпусов
Запрос на продукт
Мы свяжемся с вами в течение одного рабочего дня. Следите за своей электронной почтой.
* Примечание. Убедитесь, что вы точно заполнили информацию и связь не прерывается. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Хотите узнать больше подробностей о продукте? Отправьте нам запрос!
Мы свяжемся с вами в течение одного рабочего дня. Следите за своей электронной почтой.
КОНТАКТЫ
Тел.:+86-514-87360558、87782298、87782296
Факс:+86-514-87782297、87367519
Электронная почта: info@stt.tm/ yzpst@pst888.com
WhatsApp:+8613805278321
SKYPE:Microsoft Teams ID:326880628@qq.com
Ссылка: www.yzpst.com/www.pst888.com/ www.yzpst.net
