RGN65C035 Снижение стоимости комплектующих 650В Super-GaN FET в корпусе TO-247
- Описание продукта
-
650В Super-GaN FET в корпусе TO 247, артикул: YZPST-RGN65C035ОсобенностиПростота управления — совместимость со стандартными драйверами затвораНизкие потери при протекании тока и переключенииНизкий Qrr, равный 175 нКл — диод свободного хода не требуетсяКомпоновка выводов GSD улучшает высокоскоростной дизайнТехнология GaN, сертифицированная JEDECСоответствует директиве RoHS и не содержит галогеновПреимуществаПовышенная эффективность благодаря быстрому переключениюПовышенная плотность мощностиУменьшенные размеры и вес системыОбеспечивает более эффективные топологии — простые в реализации бестрансформаторные схемы с мостовым плечомБолее низкая стоимость комплектующихОбласти примененияВозобновляемая энергетикаПромышленностьАвтомобилестроениеТелекоммуникации и сети передачи данныхСерводвигателиАбсолютные максимальные значения (T C =25°C, если не указано иное)
Обозначение
Параметр
Предельное значение
Единица измерения
I D 25°C
Постоянный сток ток @ T C =25 ° C a
50
A
I D 100°C
Постоянный сток ток @ T C =100 ° C a
31.5
A
I DM
Импульсный сток ток (ширина импульса : 10 мкс) 10 мкс)
240
A
V DSS
Напряжение между стоком и
650
V
V истоком
Переходное напряжение между стоком стоком и b
800
V
V GSS
Затвор стоком и
±18
V
P D 25 ° C
Максимальная мощность рассеяния
178
W
T J
Рабочая температура перехода
-55 между +150
°C
T S
Температура хранения
-55 между +150
°C
T CSOLD
Паяльная пиковая температура c
260
°C
Тепловое сопротивление
Обозначение
Параметр
Типичное
Единица измерения
R ΘJC
Junction-to-case
0.7
°C/Вт
R ΘJA
Junction-to-ambient
40
°C/Вт
Испытательные схемы и формы сигналов
Конструкция
Запрос на продукт
Мы свяжемся с вами в течение одного рабочего дня. Следите за своей электронной почтой.
* Примечание. Убедитесь, что вы точно заполнили информацию и связь не прерывается. Мы свяжемся с вами как можно скорее.