+
  • YZPST-RGN65C035(5).jpg
  • YZPST-RGN65C035(7).jpg
  • YZPST-RGN65C035(9).jpg
  • YZPST-RGN65C035(4).jpg
  • YZPST-RGN65C035(3).jpg

RGN65C035 Снижение стоимости комплектующих 650В Super-GaN FET в корпусе TO-247

650-вольтовый полевой транзистор Super-GaN в корпусе TO 247, артикул: YZPST-RGN65C035 Характеристики Простота управления — совместимость со стандартными драйверами затвора Низкие потери при протекании тока и переключении Низкое значение Qrr (175 нКл) — диод свободного хода не требуется Расположение выводов GSD улучшает высокоскоростной дизайн Технология GaN, сертифицированная JEDEC Соответствие RoHS и отсутствие галогенов Преимущества Повышенная эффективность благодаря быстрому переключению Повышенная плотность мощности Уменьшенные размеры и вес системы Обеспечивает более эффективные топологии — простые в реализации бестрансформаторные мостовые схемы Более низкая стоимость комплектующих Области применения Возобновляемая энергетика Промышленность Автомобилестроение Телекоммуникации и сети передачи данных Серводвигатели

Product Number:
ЗАПРОС
  • Описание продукта
  • 650В Super-GaN FET в корпусе TO 247, артикул: YZPST-RGN65C035
    Особенности
    Простота управления — совместимость со стандартными драйверами затвора
    Низкие потери при протекании тока и переключении
    Низкий Qrr, равный 175 нКл — диод свободного хода не требуется
    Компоновка выводов GSD улучшает высокоскоростной дизайн
    Технология GaN, сертифицированная JEDEC
    Соответствует директиве RoHS и не содержит галогенов
    Преимущества
    Повышенная эффективность благодаря быстрому переключению
    Повышенная плотность мощности
    Уменьшенные размеры и вес системы
    Обеспечивает более эффективные топологии — простые в реализации бестрансформаторные схемы с мостовым плечом
    Более низкая стоимость комплектующих
    Области применения
    Возобновляемая энергетика
    Промышленность
    Автомобилестроение
    Телекоммуникации и сети передачи данных
    Серводвигатели
     YZPST-RGN65C035 TO-247
    Абсолютные максимальные значения (T C =25°C, если не указано иное)

    Обозначение

    Параметр

    Предельное значение

    Единица измерения

    I D 25°C

    Постоянный   сток   ток  @ T C =25   ° C   a

    50

    A

    I D 100°C

    Постоянный   сток   ток  @ T C =100   ° C   a

    31.5

    A

    I DM

    Импульсный   сток   ток   (ширина импульса   : 10 мкс)   10 мкс)

    240

    A

    V DSS

    Напряжение   между   стоком   и

    650

    V

    V истоком

    Переходное   напряжение между стоком   стоком   и   b

    800

    V

    V GSS

    Затвор   стоком   и

    ±18

    V

    P D 25  ° C

    Максимальная   мощность   рассеяния

    178

    W

    T J

    Рабочая температура перехода

    -55 между   +150

    °C

    T S

    Температура хранения

    -55 между   +150

    °C

    T CSOLD

    Паяльная   пиковая   температура   c

    260

    °C

     

    Тепловое   сопротивление

     

    Обозначение

    Параметр

    Типичное

    Единица измерения

    R ΘJC

    Junction-to-case

    0.7

    °C/Вт

    R ΘJA

    Junction-to-ambient

    40

    °C/Вт

     

    Испытательные схемы и формы сигналов

     YZPST-RGN65C035(3)

    Конструкция

     YZPST-RGN65C035(4)

     

     

     

Запрос на продукт

Мы свяжемся с вами в течение одного рабочего дня. Следите за своей электронной почтой.

* Примечание. Убедитесь, что вы точно заполнили информацию и связь не прерывается. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Запрос сейчас

Мы свяжемся с вами в течение одного рабочего дня. Следите за своей электронной почтой.

Отправить сейчас