+
  • YZPST-RGN800C05D5(3).jpg
  • YZPST-RGN800C05D5(5).jpg
  • YZPST-RGN800C05D5(7).jpg
  • YZPST-RGN800C05D5(2).jpg
  • YZPST-RGN800C05D5 Recommended PCB footprint.jpg

800 В, 9 А, 480 мОм Супер GaN в DFN 5x6

P/N:YZPST-RGN800C05D5 Super GaN 800 В, 9 А, 480 мОм Super GaN в корпусе DFN 5x6 Технические характеристики Особенности Транзистор с режимом усиления — обычно выключенный силовой выключатель Сверхвысокая частота переключения Отсутствие обратного заряда восстановления Низкий заряд затвора, низкий выходной заряд Квалифицирован для промышленных применений в соответствии со стандартами JEDEC Защита от электростатического разряда RoHS, без Pb, соответствует REACH Области применения Преобразователи AC-DC Преобразователи DC-DC Тотемный столб PFC Быстрая зарядка батарей Преобразование энергии высокой плотности Преобразование энергии с высоким КПД

Product Number:
ЗАПРОС
  • Описание продукта
  • P/N:YZPST-RGN800C05D5 Super GaN
    800 В, 9 А, 480 мОм Super GaN в DFN 5x6 Технические характеристики
    Особенности
    Транзистор с режимом усиления - обычно выключенный силовой выключатель
    Сверхвысокая частота переключения, отсутствие обратного тока
    Низкий заряд затвора, низкий выходной заряд
    Квалифицирован для промышленных применений в соответствии со стандартами JEDEC, защита от электростатического разряда
    RoHS, без свинца, соответствует REACH
    Применения
    Преобразователи AC-DC
    Преобразователи DC-DC
    PFC с тотемным столбом
    Быстрая зарядка батареи
    Преобразование энергии высокой плотности
    Преобразование энергии с высоким КПД
     YZPST-RGN800C05D5(1)
     

    Контакт   Информация

     

    Затвор

    Стоки

    Источник Кельвина

    Источник

    8

    1,   2,   3, 4

    7

    5,   6,  9

    Ключевые   параметры   параметров   при   T j  = 25  °C

     

    Параметр

    Значение

    Единица

    V DS,max

    800

    V

    R DS ( вкл ), макс   V GS   = 6 В

    480

    мОм

    Q G,тип   @ V DS = 400 В

    1.3

    нКл

    I D,имп

    9

    A

    Q OSS   @ V DS = 400 В

    10.5

    нКл

    Q rr   @ V DS = 400 В

    0

    нКл

     

    Максимальные   номиналы при T j = 25 °C, если не указано иное.

     

    Параметр

    Обозначение

    Значения

    Единица

    Примечание/Условия испытания

    Напряжение сток-исток

    V DS,   макс

    800

    V

    V GS   = 0 В,

    Tj =   -55   °C до  150  °C

    Переходное напряжение сток-исток  1

    V DS переходное

    800

    V

    V GS  = 0 V

    Напряжение сток-исток импульсное  2

    V DS,   импульс

    750

    V

    T j   = 25   °C; полное   время  < 10  ч

    T j  = 125  °C; полное время  < 1  ч

    Постоянный ток, сток-исток

    I D

    5

    A

    T с   = 25   °C

    Импульсный ток, сток-исток  3

    I D ,  импульс

    9

    A

    T с   = 25   °C; V GS = 6 В;   t ИМПУЛЬС  = 10  мкс

    Импульсный ток, сток-исток  3

    I D ,  импульс

    5

    A

    T с  =  125 °C; V GS =  6 В;   t ИМПУЛЬС  = 10  мкс

    Напряжение затвор-исток, постоянное inuous 4

    V GS

    -1,4 до   +7

    V

    Tj =   -55   °C до  150  °C

     

    Напряжение на затворе, p импульсный

     

    V GS,   импульс

     

    -20 до   +10

     

    V

    Tj =   -55   °C   до  150  °C;

    t ИМПУЛЬС = 50   нс, f =  100  кГц;   открытый   сток

    Потребляемая мощность

    P общ

    40

    Вт

    T с   = 25   °C

    Рабочая температура

    T j

    -55 до   +150

    °C

     

    Температура хранения

    T хранения

    -55 до   +150

    °C

     

     

    Габаритные размеры корпуса

     Схема корпуса YZPST-RGN800C05D5

    Рекомендованный   печатная плата печатная плата

     Рекомендуемая печатная плата для YZPST-RGN800C05D5

Запрос на продукт

Мы свяжемся с вами в течение одного рабочего дня. Следите за своей электронной почтой.

* Примечание. Убедитесь, что вы точно заполнили информацию и связь не прерывается. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Запрос сейчас

Мы свяжемся с вами в течение одного рабочего дня. Следите за своей электронной почтой.

Отправить сейчас