+
  • YZPST-IMW120R045M1(1).jpg
  • YZPST-IMW120R045M1(3).jpg
  • YZPST-IMW120R045M1(5).jpg
  • IMW120R045M1 TO-247-3.jpg
  • IMW120R045M1 Package.jpg

Высокоскоростной силовый MOSFET SiC 1200 В в корпусе TO-247-3

YZPST-IMW120R045M1(YZPST-RM040120T) SiC MOSFET Характеристики Высокоскоростное переключение с низкими емкостями Высокое напряжение блокировки с низким RDS(on) Простота параллельного соединения Простота управления Соответствие RoHS Преимущества Повышенная плотность мощности Более высокая рабочая частота Сокращение требований к радиаторам Более высокий КПД Сокращение электромагнитных помех Области применения Модули коррекции коэффициента мощности Источники питания с ШИМ Инверторы постоянного/переменного тока Высоковольтные преобразователи постоянного тока

Product Number:
ЗАПРОС
  • Описание продукта
  • YZPST-IMW120R045M1(YZPST-RM040120T)
    Мосфет на основе карбида кремния (SiC MOSFET)
    Особенности
    Высокоскоростное переключение с низкими емкостями
    Высокое напряжение блокировки при низком RDS(on)
    Простота параллельного соединения
    Простота управления
    Соответствует директиве RoHS
    Преимущества
    Повышенная плотность мощности
    Более высокая рабочая частота
    Сокращение требований к теплоотводу
    Повышенный КПД
    Сокращение электромагнитных помех
    Области применения
    Модули коррекции коэффициента мощности
    Источники питания с импульсной модуляцией
    Инверторы постоянного тока в переменный
    Высоковольтные преобразователи постоянного тока
     IMW120R045M1 TO-247-3

    Максимальные   параметры  ( T j =25   (если не указано иное)

     

    Обозначение

    Параметр

    Условия испытаний

    Значение

    Единица измерения

    V DS

    Напряжение сток-исток

     

    1200

    V

    I D

    Постоянный   Ток стока

    T c =25°C

    T c =100°C

    74

    52

    A

    I DM

    Пиковый   Ток стока

    Длительность импульса t p ограничен   по   T jmax

    150

    A

    V GSmax

    Напряжение затвор-исток

     

    -8/+22

    V

    V GSop

    Рекомендуемое напряжение затвор-исток

     

    -4/+  18

    V

    P tot

    Мощность   Рассеивания

    T c =25°C

    T c =100°C

    312

    156

    W

    T j

    Рабочая температура перехода rature

     

    -40~175

    °C

    T stg

    Температура хранения

     

    -40~175

    °C

     

    Электрические характеристики

    Статические характеристики

    Обозначение

    Параметр

    Условия испытаний

    Значение

    Единица измерения

    Мин .

    Тип .

    Макс .

    V (BR)DSS

    Drain-Source  Пробивное напряжение

    I D =100μA,   V GS =0V

    1200

     

     

    V

    I DSS

    Ток стока при нулевом напряжении на затворе   Ток стока nt

    V DS =1200V,   V GS =0V

     

    1

     

    μA

    I GSS

    Gate-Source  Ток утечки

    V DS =0V,   V GS =18V

     

     

    250

    nA

     

    V GS(th)

     

    Пороговое напряжение затвора

    V DS = V GS I D =10mA   T j =25°C

    T j =175°C

     

    2

     

    2.6

    2.0

     

    4

     

    V

     

    R DS(on)

     

    Сопротивление сток-исток в открытом состоянии  Resistance

    V GS =18V,   I D =40A   T j =25°C

    T j =175°C

     

     

    37

    47

     

     

    м Ω

     

    Обзор пакетов

     Корпус IMW120R045M1

Запрос на продукт

Мы свяжемся с вами в течение одного рабочего дня. Следите за своей электронной почтой.

* Примечание. Убедитесь, что вы точно заполнили информацию и связь не прерывается. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Запрос сейчас

Мы свяжемся с вами в течение одного рабочего дня. Следите за своей электронной почтой.

Отправить сейчас