Высокоскоростной силовый MOSFET SiC 1200 В в корпусе TO-247-3
- Описание продукта
-
YZPST-IMW120R045M1(YZPST-RM040120T)Мосфет на основе карбида кремния (SiC MOSFET)ОсобенностиВысокоскоростное переключение с низкими емкостямиВысокое напряжение блокировки при низком RDS(on)Простота параллельного соединенияПростота управленияСоответствует директиве RoHSПреимуществаПовышенная плотность мощностиБолее высокая рабочая частотаСокращение требований к теплоотводуПовышенный КПДСокращение электромагнитных помехОбласти примененияМодули коррекции коэффициента мощностиИсточники питания с импульсной модуляциейИнверторы постоянного тока в переменныйВысоковольтные преобразователи постоянного тока
Максимальные параметры ( T j =25 ℃ (если не указано иное)
Обозначение
Параметр
Условия испытаний
Значение
Единица измерения
V DS
Напряжение сток-исток
1200
V
I D
Постоянный Ток стока
T c =25°C
T c =100°C
74
52
A
I DM
Пиковый Ток стока
Длительность импульса t p ограничен по T jmax
150
A
V GSmax
Напряжение затвор-исток
-8/+22
V
V GSop
Рекомендуемое напряжение затвор-исток
-4/+ 18
V
P tot
Мощность Рассеивания
T c =25°C
T c =100°C
312
156
W
T j
Рабочая температура перехода rature
-40~175
°C
T stg
Температура хранения
-40~175
°C
Электрические характеристики
Статические характеристики
Обозначение
Параметр
Условия испытаний
Значение
Единица измерения
Мин .
Тип .
Макс .
V (BR)DSS
Drain-Source Пробивное напряжение
I D =100μA, V GS =0V
1200
V
I DSS
Ток стока при нулевом напряжении на затворе Ток стока nt
V DS =1200V, V GS =0V
1
μA
I GSS
Gate-Source Ток утечки
V DS =0V, V GS =18V
250
nA
V GS(th)
Пороговое напряжение затвора
V DS = V GS , I D =10mA T j =25°C
T j =175°C
2
2.6
2.0
4
V
R DS(on)
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии Resistance
V GS =18V, I D =40A T j =25°C
T j =175°C
37
47
м Ω
Обзор пакетов
Запрос на продукт
Мы свяжемся с вами в течение одного рабочего дня. Следите за своей электронной почтой.
* Примечание. Убедитесь, что вы точно заполнили информацию и связь не прерывается. Мы свяжемся с вами как можно скорее.