TO-247 650В 40А IGBT с канавкой и стопорным полем
- Описание продукта
-
P/N: YZPST-IKW40N65H3(YZPST-RG40N065FT)IGBT с канавкой и стопом поля 650 В/40 АОСОБЕННОСТИВысокое напряжение пробоя до 650 В для повышения надежностиТехнология Trench-Stop предлагает:Высокоскоростное переключениеВысокая прочность, стабильность температурыНизкое VCEsatПростота параллельного переключения благодаря положительному температурному коэффициенту в VCEsatПовышенная лавинная способностьПРИМЕНЕНИЕИсточники бесперебойного питанияИнверторСварочные преобразователиПриложения PFCПреобразователь с высокой частотой переключения
Максимальные значения ( T j = 25 ℃ если не указано иное )
Параметр
Обозначение
Значение
Ед. изм.
Пробивное напряжение коллектор-эмиттер wn Voltage
V CE
650
V
Постоянный ток коллектора, ограниченный T jmax T C = 25°C
T C = 100°C
I C
80
40
A
Прямой ток диода, ограниченный T jmax T C = 25°C
T C = 100°C
I F
80
40
A
Постоянное напряжение затвор-эмиттер r voltage
V GE
± 20
V
Переходное напряжение затвор-эмиттер voltage
V GE
± 30
V
Выключение безопасная рабочая область V CE ≤650 В, T j ≤ 175°C, t p = 1 мкс
-
120
A
Импульсный ток коллектора, V GE = 15 В, t p ограниченный T jmax
I CM
120
A
Потребляемая мощность, T j =25 °C
P tot
188
W
Рабочая температура перехода
T j
-40...+175
°C
Температура хранения
T S
-55...+150
°C
Температура пайки, волновая пайка 1,6 мм (0,063 дюйма) от корпуса для 10s
-
260
°C
Монтажный момент винт М3 screw Максимальное число монтажных процессов : 3
М
0.6
Нм
Тепловое сопротивление
Параметр
Обозначение
Макс. значение
Ед. изм.
Тепловое сопротивление IGBT, переход junction - корпуса
R θ(j-c)
0.8
K/W
Diode thermal resistan ce, junction - корпуса
R θ(j-c)
1.1
K/W
Тепловое сопротивление, температура - окружающей среды
R θ(j-a)
40
K/W
Информация о корпусе TO247
Запрос на продукт
Мы свяжемся с вами в течение одного рабочего дня. Следите за своей электронной почтой.
* Примечание. Убедитесь, что вы точно заполнили информацию и связь не прерывается. Мы свяжемся с вами как можно скорее.