+
  • YZPST-R100P11A(3).jpg
  • YZPST-R100P11A(1).jpg
  • YZPST-R100P11A(5).jpg
  • R100P11A TO-252 Package.jpg

TO-252 R100P11A 100 В p-канальный транзистор MOSFET

100В P-канальный полевой транзистор с технологией Trench Общее описание R 100P11A использует передовую технологию Trench для обеспечения превосходного R DS(ON), низкого заряда затвора и работы с напряжением затвора всего -4,5 В. Это устройство подходит для использования в самых разных приложениях. Особенности Низкий заряд затвора 100% тестирование UIS, 100% тестирование DVDS Высокая мощность и способность обработки тока Доступен продукт без свинца Область применения ШИМ-приложения Коммутатор нагрузки Управление питанием

Product Number:
ЗАПРОС
  • Описание продукта
  • 100 В p-канальный транзисторный силовой MOSFET
    Общее описание
    В R 100P11A используется передовая технология траншейного типа для обеспечения превосходного значения R DS(ON), низкого заряда затвора и работы с напряжениями затвора до -4,5 В. Это устройство подходит для использования в самых разных приложениях.
    Особенности
    Низкий заряд затвора
    100% тестирование UIS, 100% тестирование DVDS
    Высокая мощность и способность обработки тока
    Получен продукт без свинца
    Применение
    Приложения ШИМ
    Коммутатор нагрузки
    Управление питанием
    Основные параметры производительности

    Параметр

    Значение

    Единица измерения

    В DS

    -100

    В

    R DS(ON)_TYP

    156

    мОм

    I D

    -11

    А

    Q G

    42.5

    нКл

     
     YZPST-R100P11A TO-252

    Таблица 1. Абсолютные максимальные значения (TC=25℃, если не указано иное)

    Символ

    Параметр

    Предел

    Единица измерения

    В DS

    Напряжение сток-исток (V GS =0В)

    -100

    В

    В GS

    Напряжение затвор-исток (V DS =0В)

    ±20

    В

     

    I D

    Постоянный ток стока (T C =25 )

    -11

    А

    Постоянный ток стока (T uous(T C =100 )

    -6,7

    А

    I DM   (импульс)

    Постоянный ток стока при C ток-импульсный (Примечание   1)

    -44

    А

     

    P D

    Максимальная   Мощность рассеивания (T C =25 )

    48

    Вт

    Максимальная   Мощность рассеивания (T C =100 )

    19

    Вт

    E AS

    Энергия лавинного пробоя   (Примечание 2)

    72

    мДж

    T J , T STG

    Рабочая температура перехода и температура хранения   Диапазон

    -55 до  150

     

    Таблица 2.    Тепловые характеристики eristic

     

    Символ

    Параметр

    Типовое

    Максимальное

    Единица измерения

    R θJC

    Тепловое   Сопротивление, переход-корпус

     

    2.6

    /W

     

    TO -252   Корпус   Информация

     R100P11A TO-252 Пакет

     

Запрос на продукт

Мы свяжемся с вами в течение одного рабочего дня. Следите за своей электронной почтой.

* Примечание. Убедитесь, что вы точно заполнили информацию и связь не прерывается. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Запрос сейчас

Мы свяжемся с вами в течение одного рабочего дня. Следите за своей электронной почтой.

Отправить сейчас