TO-252 R100P11A 100 В p-канальный транзистор MOSFET
- Описание продукта
-
100 В p-канальный транзисторный силовой MOSFETОбщее описаниеВ R 100P11A используется передовая технология траншейного типа для обеспечения превосходного значения R DS(ON), низкого заряда затвора и работы с напряжениями затвора до -4,5 В. Это устройство подходит для использования в самых разных приложениях.ОсобенностиНизкий заряд затвора100% тестирование UIS, 100% тестирование DVDSВысокая мощность и способность обработки токаПолучен продукт без свинцаПрименениеПриложения ШИМКоммутатор нагрузкиУправление питаниемОсновные параметры производительности
Параметр
Значение
Единица измерения
В DS
-100
В
R DS(ON)_TYP
156
мОм
I D
-11
А
Q G
42.5
нКл
Таблица 1. Абсолютные максимальные значения (TC=25℃, если не указано иное)
Символ
Параметр
Предел
Единица измерения
В DS
Напряжение сток-исток (V GS =0В)
-100
В
В GS
Напряжение затвор-исток (V DS =0В)
±20
В
I D
Постоянный ток стока (T C =25 ℃ )
-11
А
Постоянный ток стока (T uous(T C =100 ℃ )
-6,7
А
I DM (импульс)
Постоянный ток стока при C ток-импульсный (Примечание 1)
-44
А
P D
Максимальная Мощность рассеивания (T C =25 ℃ )
48
Вт
Максимальная Мощность рассеивания (T C =100 ℃ )
19
Вт
E AS
Энергия лавинного пробоя (Примечание 2)
72
мДж
T J , T STG
Рабочая температура перехода и температура хранения Диапазон
-55 до 150
℃
Таблица 2. Тепловые характеристики eristic
Символ
Параметр
Типовое
Максимальное
Единица измерения
R θJC
Тепловое Сопротивление, переход-корпус
2.6
℃ /W
TO -252 Корпус Информация
Запрос на продукт
Мы свяжемся с вами в течение одного рабочего дня. Следите за своей электронной почтой.
* Примечание. Убедитесь, что вы точно заполнили информацию и связь не прерывается. Мы свяжемся с вами как можно скорее.