Быстродействующий переключатель TO3P-3, 30 МГц, радиочастотный силовой MOSFET
P/N: YZPST-RH55N30T
Логический уровень управления затвором
Передовая технология производства
Динамическая оценка dv/dt
Рабочая температура 175°C
Быстрое переключение
Полностью защищён от аварийных режимов
Безсвинцовый
РЧ-мощный МОП-транзистор — 30 МГц
U DSS = 55 В
RDS(on) = 0,035 Ом
ID = 30 А
Product Number:
Category:
ЗАПРОС
- Описание продукта
-
P/N: YZPST-RH55N30TЛогический уровень управляющего сигналаПередовая технология процессаДинамический рейтинг dv/dtРабочая температура 175℃Быстрое переключениеFUIIyAvaIanche ОцененоLead-FreeРЧ-мощный МОП-транзистор - 30 МГцV DSS = 55 ВRDS(on) = 0,035 ОмID=30A
Абсолютный Максимум Рейтинги
Параметр Max. Единицы Я D @ T c = 25.с Непрерывный Ток утечки, V GS @ 10 В 30 Я D @ T c = 100. c Непрерывный Ток утечки, V GS @ 10 В 21 А Я DM Пулисед Ток утечки 0 ① 110 P D @T c = 25.с Мощность Рассеяние 68 w Линейный Коэффициент снижения мощности 0.45 с.с. В GS От затвора к источнику Напряжение ±16 В Э КАК Одиночный Импульсальная лавинная энергия ② 110 мДж Я AR Аваланч Текущий① 16 А Э AR Повторяющийся Энергия лавины① 6.8 мДж dv/dt Пик Восстановление диода dv/dt ③ 5 V/ns Т J Работающий Соединение и -55 до + 175 Хранение Температурный диапазон .с Т STG Рассматривание Температура, на 10 секунд 300 (1,6 мм от корпуса) Устанавливающий момент, Винт 6-32 или M3. 10 Ibf.in (1,1 Н·м) Термальный Сопротивление
Параметр Min. TYP. Max. Единицы Р θJc Junction-to-case Один-один-один Один Один-один-один Один 2.2 ℃/Вт Р θcS Кейс-к-синк, Фиат, Смазанная поверхность Один-один-один Один 0.5 Один-один-один Один Р θJA Junction-to-Ambient Один-один-один Один Один-один-один Один 62
Запрос на продукт
Мы свяжемся с вами в течение одного рабочего дня. Следите за своей электронной почтой.
* Примечание. Убедитесь, что вы точно заполнили информацию и связь не прерывается. Мы свяжемся с вами как можно скорее.