+
  • YZPST-MJ15003(1).jpg
  • YZPST-MJ15003(3).jpg
  • YZPST-MJ15003(5).jpg
  • YZPST-MJ15003(7).jpg

MJ15003 TO-3 Кремниевый NPN силовой транзистор, дополняющий тип MJ15004

Кремниевые NPN-транзисторы мощности YZPST-MJ15003 ОПИСАНИЕ · С корпусом TO-3 · Дополняют тип MJ15004 · Отличная зона безопасной эксплуатации ПРИМЕНЕНИЕ · Для высокомощного аудио, позиционеров дисковых головок и других линейных применений

Product Number:
ЗАПРОС
  • Описание продукта

  • Кремниевые силовые транзисторы NPN YZPST-MJ15003
    ОПИСАНИЕ
    ·С корпусом TO-3
    ·Дополнение к типу MJ15004
    · Отличная зона безопасной эксплуатации
    ПРИЛОЖЕНИЯ
    · Для высокомощного аудио, позиционеров дисковых головок и других линейных применений
     YZPST-MJ15003 TO-3


    Абсолютный максимум   рейтинги(T a= )

     

     

     

     

     

     

    В CBO

    Напряжение база-коллектор

    Открытый эмиттер

    140

    В

    В Генеральный директор

    Напряжение коллектор-эмиттер

    Открытый   База

    140

    В

    В ЭБО

    Напряжение эмиттер-база

    Открытый коллектор

    5

    В

    Я C

    Ток коллектора

     

    20

    A

    Я Б

    Ток базы

     

    5

    A

    Я Э

    Ток эмиттера

     

    -25

    A

    P Д

    Общая сумма   Распределение мощности

    Т C =25

    250

    W

    Т j

    Температура соединения

     

    200

    Т стг

    Температура хранения

     

    -65~200

     

    ТЕПЛОВЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

     

    СИМВОЛ

    ПАРАМЕТР

    МАКС

    ЮНИТ

    Р т  j-c

    Термическое сопротивление соединения для дела

    0.7

    /W

     

    ХАРАКТЕРИСТИКИ

    Tj=25   если иное Исе   Указанный

     

    СИМВОЛ

    ПАРАМЕТР

    УСЛОВИЯ

    МИН

    TYP.

    МАКС

    ЮНИТ

    В Генеральный директор (SUS)

    Коллектор-эмиттер su Запятнующее напряжение

    Я C =0,2A ;I Б =0

    140

     

     

    В

    В ЦЕсат

    Коллектор-эмиттер один Рациональное напряжение

    Я C =5A;   Я Б =0,5 А

     

     

    1.0

    В

    В БЫТЬ

    Напряжение на базе-эмиттере

    Я C =5A ; V СЭ =2V

     

     

    2.0

    В

    Я Генеральный директор

    Ток отсечки коллектора

    В СЭ =140 В;   Я Б =0

     

     

    0.25

    мА

    Я ЦЭК

    Ток отсечки коллектора

    В СЭ =140 В; В БЫ(офф) =1,5 В   Т C =150

     

     

    0.1

    2.0

    мА

    Я ЭБО

    Ток отсечки эмиттера

    В ЭБ =5 В;   Я C =0

     

     

    0.1

    мА

    h FE

    Постоянный ток   Приобретать

    Я C =5A ; V СЭ =2V

    25

     

    150

     

     

    Я s/b

     

    Второй сбор разбора или текущий   С базовым вперёд   Предвзятый

    В СЭ =50 В пост. тока, t = 1 с,   Неповторяющийся

    5

     

     

     

    A

    В СЭ =100 В пост. тока, t = 1 с,   Неповторяющийся

    1

    C ОБ

    Выходная ёмкость

    Я Э =0   ; V СБ =10 В; f=1,0 МГц

     

     

    1000

    пФ

    f Т

    Частота перехода

    Я C =0,5 А ; В СЭ =10 В; f=0,5 МГц

    2

     

     

    МГц

     

    ОБЩИЙ ОБЗОР ПАКЕТА

     Пакет YZPST-MJ15003

Запрос на продукт

Мы свяжемся с вами в течение одного рабочего дня. Следите за своей электронной почтой.

* Примечание. Убедитесь, что вы точно заполнили информацию и связь не прерывается. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Запрос сейчас

Мы свяжемся с вами в течение одного рабочего дня. Следите за своей электронной почтой.

Отправить сейчас