MJ15003 TO-3 Кремниевый NPN силовой транзистор, дополняющий тип MJ15004
- Описание продукта
-
Кремниевые силовые транзисторы NPN YZPST-MJ15003ОПИСАНИЕ·С корпусом TO-3·Дополнение к типу MJ15004· Отличная зона безопасной эксплуатацииПРИЛОЖЕНИЯ· Для высокомощного аудио, позиционеров дисковых головок и других линейных применений
Абсолютный максимум рейтинги(T a= ℃ )В CBO
Напряжение база-коллектор
Открытый эмиттер
140
В
В Генеральный директор
Напряжение коллектор-эмиттер
Открытый База
140
В
В ЭБО
Напряжение эмиттер-база
Открытый коллектор
5
В
Я C
Ток коллектора
20
A
Я Б
Ток базы
5
A
Я Э
Ток эмиттера
-25
A
P Д
Общая сумма Распределение мощности
Т C =25 ℃
250
W
Т j
Температура соединения
200
℃
Т стг
Температура хранения
-65~200
℃
ТЕПЛОВЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
СИМВОЛ
ПАРАМЕТР
МАКС
ЮНИТ
Р т j-c
Термическое сопротивление соединения для дела
0.7
℃ /W
ХАРАКТЕРИСТИКИ
Tj=25 ℃ если иное Исе Указанный
СИМВОЛ
ПАРАМЕТР
УСЛОВИЯ
МИН
TYP.
МАКС
ЮНИТ
В Генеральный директор (SUS)
Коллектор-эмиттер su Запятнующее напряжение
Я C =0,2A ;I Б =0
140
В
В ЦЕсат
Коллектор-эмиттер один Рациональное напряжение
Я C =5A; Я Б =0,5 А
1.0
В
В БЫТЬ
Напряжение на базе-эмиттере
Я C =5A ; V СЭ =2V
2.0
В
Я Генеральный директор
Ток отсечки коллектора
В СЭ =140 В; Я Б =0
0.25
мА
Я ЦЭК
Ток отсечки коллектора
В СЭ =140 В; В БЫ(офф) =1,5 В Т C =150 ℃
0.1
2.0
мА
Я ЭБО
Ток отсечки эмиттера
В ЭБ =5 В; Я C =0
0.1
мА
h FE
Постоянный ток Приобретать
Я C =5A ; V СЭ =2V
25
150
Я s/b
Второй сбор разбора или текущий С базовым вперёд Предвзятый
В СЭ =50 В пост. тока, t = 1 с, Неповторяющийся
5
A
В СЭ =100 В пост. тока, t = 1 с, Неповторяющийся
1
C ОБ
Выходная ёмкость
Я Э =0 ; V СБ =10 В; f=1,0 МГц
1000
пФ
f Т
Частота перехода
Я C =0,5 А ; В СЭ =10 В; f=0,5 МГц
2
МГц
ОБЩИЙ ОБЗОР ПАКЕТА
Запрос на продукт
Мы свяжемся с вами в течение одного рабочего дня. Следите за своей электронной почтой.
* Примечание. Убедитесь, что вы точно заполнили информацию и связь не прерывается. Мы свяжемся с вами как можно скорее.