+
  • YZPST-S65R650(1).jpg
  • YZPST-S65R650 PACKAGE.jpg
  • YZPST-S65R650(7).jpg
  • YZPST-S65R650(3).jpg

650 В TO-252 S65R650 Суперпереходный MOSFET

P/N:YZPST-S65R650 S65R650 MOSFET Описание: S65R650 — это полевой транзистор Superjunction, разработанный для улучшенных характеристик, таких как низкое сопротивление в открытом состоянии, низкий заряд затвора, сверхбыстрое переключение и высокая прочность. Эти устройства хорошо подходят для высокоэффективных импульсных источников питания.

Product Number: YZPST-S65R650
ЗАПРОС
  • Описание продукта
  • P/N:YZPST-S65R650
    Мосфет S65R650
    Описание:
    S65R650 - это полевой транзистор Superjunction с улучшенными характеристиками, такими как низкое сопротивление в открытом состоянии,
    низкий заряд затвора, сверхбыстрое переключение и высокая живучесть. Эти устройства хорошо подходят для высокоэффективных импульсных источников питания.
     YZPST-S65R650 TO-252

    ПРЕДЕЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ПАРАМЕТРЫ

    Обозначение

    Параметр

    Значение

    Ед.изм.

    В DS

    Напряжение сток-исток

    650

    В

    В GS

    Напряжение затвор-исток

    ±30

    В

     

    I D

     

    Постоянный ток стока

    Tc=25

    8

    A

    Tc=100

    6

    A

    I DM

    Импульсный ток стока

    30

    A

    Ptot

    Потребляемая мощность (T C =25 °C)

    93

    Вт

    T j

    Температура перехода

    150

    Tstg

    Рабочая и температурный диапазон хранения erature

    -55   до   +150

    E AS

    Энергия лавинного пробоя   мДж

    74

    mJ

     

    ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ   ХАРАКТЕРИСТИКИ  ( TC = 25°C, если   иное   не )

    Обозначение

    Параметр

    указано

    Значение

    Ед.изм.

    Мин

    Тип

    Макс

    BV DSS

    Пробивное напряжение сток-исток tage

    VGS = 0В,   ID =  250 мкА

    650

     

     

    В

    I DSS

    Ток утечки сток-исток rent

    VDS =650В, VGS =0В

     

     

    1

    мкА

    I GSS

    Ток утечки затвор-исток Current

    VGS =  ±30В

     

     

    ±100

    нА

    В GS(th)

    Напряжение включения

    VDS VGS ,  ID =  250 мкА

    2.5

     

    4.5

    В

    R DS ( ON )

    Статическое сопротивление сток-исток в открытом состоянии  Resistance

    VGS = 10V  ID = 4A

     

    503

    650

    мОм

     

    КОНСТРУКТИВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ КОРПУСА

     Корпус YZPST-S65R650

Запрос на продукт

Мы свяжемся с вами в течение одного рабочего дня. Следите за своей электронной почтой.

* Примечание. Убедитесь, что вы точно заполнили информацию и связь не прерывается. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Запрос сейчас

Мы свяжемся с вами в течение одного рабочего дня. Следите за своей электронной почтой.

Отправить сейчас