650 В TO-252 S65R650 Суперпереходный MOSFET
- Описание продукта
-
P/N:YZPST-S65R650Мосфет S65R650Описание:S65R650 - это полевой транзистор Superjunction с улучшенными характеристиками, такими как низкое сопротивление в открытом состоянии,низкий заряд затвора, сверхбыстрое переключение и высокая живучесть. Эти устройства хорошо подходят для высокоэффективных импульсных источников питания.
ПРЕДЕЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ПАРАМЕТРЫ
Обозначение
Параметр
Значение
Ед.изм.
В DS
Напряжение сток-исток
650
В
В GS
Напряжение затвор-исток
±30
В
I D
Постоянный ток стока
Tc=25 ℃
8
A
Tc=100 ℃
6
A
I DM
Импульсный ток стока
30
A
Ptot
Потребляемая мощность (T C =25 °C)
93
Вт
T j
Температура перехода
150
℃
Tstg
Рабочая и температурный диапазон хранения erature
-55 до +150
℃
E AS
Энергия лавинного пробоя мДж
74
mJ
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ( TC = 25°C, если иное не )
Обозначение
Параметр
указано
Значение
Ед.изм.
Мин
Тип
Макс
BV DSS
Пробивное напряжение сток-исток tage
VGS = 0В, ID = 250 мкА
650
В
I DSS
Ток утечки сток-исток rent
VDS =650В, VGS =0В
1
мкА
I GSS
Ток утечки затвор-исток Current
VGS = ±30В
±100
нА
В GS(th)
Напряжение включения
VDS = VGS , ID = 250 мкА
2.5
4.5
В
R DS ( ON )
Статическое сопротивление сток-исток в открытом состоянии Resistance
VGS = 10V , ID = 4A
503
650
мОм
КОНСТРУКТИВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ КОРПУСА
Запрос на продукт
Мы свяжемся с вами в течение одного рабочего дня. Следите за своей электронной почтой.
* Примечание. Убедитесь, что вы точно заполнили информацию и связь не прерывается. Мы свяжемся с вами как можно скорее.