+
  • YZPST-2SB888(1).jpg
  • YZPST-2SB888(3).jpg
  • YZPST-2SB888(7).jpg
  • YZPST-2SB888(5).jpg

Пластиковый корпус TO-92, кремниевый составной транзистор Дарлингтона PNP, планарной структуры

Транзисторы в пластмассовом корпусе TO-92 Номер по каталогу: YZPST-2SB888 Двойной биполярный транзистор PNP, планарно-эпитаксиальная структура Области применения Управление двигателями, управление молоточками принтера, управление реле, управление стабилизатором напряжения. Особенности Высокий коэффициент постоянного тока (5000 или более). Высокая токовая проводимость и широкий диапазон рабочих температур. Низкое напряжение насыщения: VCE(нас) = –0,8 В (типовое значение).

Product Number: YZPST-2SB888
ЗАПРОС
  • Описание продукта
  • Транзисторы в пластмассовом корпусе TO-92
    P/N: YZPST-2SB888
    Двухкаскадный планарный кремниевый дарлингтоновский транзистор PNP
    Области применения
    Драйверы двигателей, драйверы печатающих головок, драйверы реле, управление регулятором напряжения.
    Особенности
    Высокий коэффициент усиления постоянного тока (5000 или более).
    Большая токовая способность и широкий диапазон АСО.
    Низкое напряжение насыщения: VCE(sat) = –0,8 В (типовое).
     YZPST-2SB888 TO-92

    Абсолютные   Максимальные   Параметры и допуски при Ta = 25˚C

     

    Обозначение

    Параметр

    Условия

    Допустимые значения

    Ед. изм.

    VCBO

    Напряжение коллектор-база ltage

     

    –80

    В

    В   CEO

    Напряжение коллектор-эмиттер ltage

     

    –50

    В

    VEBO

    Напряжение эмиттер-база

     

    –10

    В

    IC

    Ток коллектора

     

    –0,7

    А

    ICP

    Ток коллектора   (Импульсный)

     

    –2

    А

    PC

    Допустимая   Мощность   рассеивания коллектора

     

    600

    мВт

    Tj

    Температура   перехода

     

    150

    ˚C

    Tstg

    Температура хранения

     

    –55   до   +150

    ˚C

    Электрические   Характеристики   при   Ta  =  25˚C

     

    Обозначение

    Параметр

    Условия

    Допустимые значения

    Ед. изм.

    мин

    тип

    макс

    ICBO

    Ток отсечки коллектора  Current

    В   CB =–40 В,   IE =0

     

     

    –0,1

    мкА

    IEBO

    Ток отсечки эмиттера  Current

    VEB =–8 В,   IC =0

     

     

    –0,1

    мкА

    h  FE1

    Постоянный  Current  коэффициент усиления

    VCE =–2 В,   IC =–50 мА

    5000

     

     

     

    h  FE2

    VCE =–2 В,   IC =–500 мА

    3000

     

     

     

    fT

    Gain-Bandwidth  Произведение

    VCE =–5 В,   IC =–50 мА

     

    170

     

    МГц

    C ob

    Выходная   емкость

    В   CB =–10 В,   f=1 МГц

     

    16

     

    пФ

    VCE(sat)

    Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

    IC =–100 мА,   IB =–0,1 мА

     

    –0,8

    –1,2

    В

    В   BE(sat)

    Напряжение насыщения база-эмиттер ltage

    IC =–100 мА,   IB=–0,1 мА

     

    –1,3

    –2,0

    В

    V(BR)CBO

    Collector-to-Base  Br Пробивное напряжение

    IC =–10µA,   IE=0

    –80

     

     

    В

    V(BR)CEO

    Collector-to-Emitter  Пробивное напряжение

    IC =–1мА,   R   BE =

    –50

     

     

    В

    V(BR)EBO

    Emitter-to-Base  Пробивное напряжение

    IE =–10µA,   IC =0

    –10

     

     

    В

Запрос на продукт

Мы свяжемся с вами в течение одного рабочего дня. Следите за своей электронной почтой.

* Примечание. Убедитесь, что вы точно заполнили информацию и связь не прерывается. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Запрос сейчас

Мы свяжемся с вами в течение одного рабочего дня. Следите за своей электронной почтой.

Отправить сейчас