Пластиковый корпус TO-92, кремниевый составной транзистор Дарлингтона PNP, планарной структуры
- Описание продукта
-
Транзисторы в пластмассовом корпусе TO-92P/N: YZPST-2SB888Двухкаскадный планарный кремниевый дарлингтоновский транзистор PNPОбласти примененияДрайверы двигателей, драйверы печатающих головок, драйверы реле, управление регулятором напряжения.ОсобенностиВысокий коэффициент усиления постоянного тока (5000 или более).Большая токовая способность и широкий диапазон АСО.Низкое напряжение насыщения: VCE(sat) = –0,8 В (типовое).
Абсолютные Максимальные Параметры и допуски при Ta = 25˚C
Обозначение
Параметр
Условия
Допустимые значения
Ед. изм.
VCBO
Напряжение коллектор-база ltage
–80
В
В CEO
Напряжение коллектор-эмиттер ltage
–50
В
VEBO
Напряжение эмиттер-база
–10
В
IC
Ток коллектора
–0,7
А
ICP
Ток коллектора (Импульсный)
–2
А
PC
Допустимая Мощность рассеивания коллектора
600
мВт
Tj
Температура перехода
150
˚C
Tstg
Температура хранения
–55 до +150
˚C
Электрические Характеристики при Ta = 25˚C
Обозначение
Параметр
Условия
Допустимые значения
Ед. изм.
мин
тип
макс
ICBO
Ток отсечки коллектора Current
В CB =–40 В, IE =0
–0,1
мкА
IEBO
Ток отсечки эмиттера Current
VEB =–8 В, IC =0
–0,1
мкА
h FE1
Постоянный Current коэффициент усиления
VCE =–2 В, IC =–50 мА
5000
h FE2
VCE =–2 В, IC =–500 мА
3000
fT
Gain-Bandwidth Произведение
VCE =–5 В, IC =–50 мА
170
МГц
C ob
Выходная емкость
В CB =–10 В, f=1 МГц
16
пФ
VCE(sat)
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
IC =–100 мА, IB =–0,1 мА
–0,8
–1,2
В
В BE(sat)
Напряжение насыщения база-эмиттер ltage
IC =–100 мА, IB=–0,1 мА
–1,3
–2,0
В
V(BR)CBO
Collector-to-Base Br Пробивное напряжение
IC =–10µA, IE=0
–80
В
V(BR)CEO
Collector-to-Emitter Пробивное напряжение
IC =–1мА, R BE = ∞
–50
В
V(BR)EBO
Emitter-to-Base Пробивное напряжение
IE =–10µA, IC =0
–10
В
Запрос на продукт
Мы свяжемся с вами в течение одного рабочего дня. Следите за своей электронной почтой.
* Примечание. Убедитесь, что вы точно заполнили информацию и связь не прерывается. Мы свяжемся с вами как можно скорее.