Быстровосстанавливающийся диод тела YZPST-R03N120TP 1200VN-chPlanar MOSFET
- Описание продукта
-
P/N: YZPST-R03N120TP1200VN-chPlanar MOSFETОбщие характеристикиСоответствует RoHSRDS(ON),тип.=6Ω@VGS=10ВНизкий заряд затвора минимизирует потери при переключенииБыстровосстанавливающийся выпрямительный диодПримененияАдаптерЗарядное устройствоРезервное питание ИИПБессвинцовый корпус и покрытие
BV DSS
R DS(ON),тип.
I D
1200V
6Ω
3.0A
Абсолютные Максимальные Номинальные gs T C =25 ℃ если не указано иное
Обозначение
Параметр
R03N120TP
Ед.изм.
V DSS
Напряжение сток-исток
1200
V
V GSS
Напряжение затвор-исток
±30
I D
Постоянный ток стока Ток
3.0
A
I DM
Импульсный ток стока при V GS =10В
12
E AS
Одиночный Импульсная энергия лавинного пробоя Энергия
100
мДж
dv/dt
Пиковый Диод Восстановление dv/dt [3]
5.0
V/ns
P D
Потребляемая мощность
75
Вт
Понижение Коэффициент выше 25 ℃
0.6
W/ ℃
T L
Температура пайки
Расстояние от 1,6 мм от корпуса для 10 seconds
300
℃
T J & T STG
Рабочий и температурный диапазон хранения Диапазон температур
-55 до 150
Внимание: Напряжения, превышающие указанные в разделе «Абсолютные максимальные значения» могут привести к необратимому повреждению к the Thermal Characteristics device.
Тепловые характеристики
Обозначение
Параметр
R03N120TP
Ед.изм.
R θJC
Тепловое Сопротивление, Junction-to-Case
1.67
℃ /W
R θJA
Тепловое Сопротивление, Ju nction-to-Ambient
62
Запрос на продукт
Мы свяжемся с вами в течение одного рабочего дня. Следите за своей электронной почтой.
* Примечание. Убедитесь, что вы точно заполнили информацию и связь не прерывается. Мы свяжемся с вами как можно скорее.