+
  • YZPST-R03N120TP(3).jpg
  • YZPST-R03N120TP TO-220.jpg
  • YZPST-R03N120TP(6).jpg
  • YZPST-R03N120TP(2).jpg

Быстровосстанавливающийся диод тела YZPST-R03N120TP 1200VN-chPlanar MOSFET

P/N: YZPST-R03N120TP 1200VN-chPlanar MOSFET Общие характеристики Соответствует RoHS RDS(ON),тип.=6Ω при VGS=10В Низкий заряд затвора минимизирует потери при переключении Быстровосстанавливающийся диод тела Применения Адаптер Зарядное устройство Резервное питание ИИП

Product Number: YZPST-R03N120TP
ЗАПРОС
  • Описание продукта
  • P/N: YZPST-R03N120TP
    1200VN-chPlanar MOSFET
    Общие характеристики
    Соответствует RoHS
    RDS(ON),тип.=6Ω@VGS=10В
    Низкий заряд затвора минимизирует потери при переключении
    Быстровосстанавливающийся выпрямительный диод
    Применения
    Адаптер
    Зарядное устройство
    Резервное питание ИИП
     
     
    Бессвинцовый корпус и покрытие

    BV DSS

    R DS(ON),тип.

    I D

    1200V

    6Ω

    3.0A

     
     YZPST-R03N120TP TO-220
     

    Абсолютные   Максимальные   Номинальные gs T C =25 если не указано иное

     

    Обозначение

    Параметр

    R03N120TP

    Ед.изм.

    V DSS

    Напряжение сток-исток

    1200

     

    V

    V GSS

    Напряжение затвор-исток

    ±30

    I D

    Постоянный ток стока   Ток

    3.0

     

    A

    I DM

    Импульсный ток стока   при V GS =10В

    12

    E AS

    Одиночный   Импульсная энергия лавинного пробоя   Энергия

    100

    мДж

    dv/dt

    Пиковый   Диод   Восстановление dv/dt [3]

    5.0

    V/ns

     

    P D

    Потребляемая мощность

    75

    Вт

    Понижение   Коэффициент выше 25

    0.6

    W/

    T L

    Температура пайки

    Расстояние от   1,6 мм от корпуса для  10 seconds

    300

     

    T J T STG

    Рабочий и температурный диапазон хранения Диапазон температур

    -55 до  150

    Внимание:   Напряжения, превышающие указанные в разделе «Абсолютные максимальные значения» могут привести к необратимому повреждению   к   the   Thermal Characteristics  device. 

     

    Тепловые характеристики

     

    Обозначение

    Параметр

    R03N120TP

    Ед.изм.

    R θJC

    Тепловое   Сопротивление, Junction-to-Case

    1.67

     

    /W

    R θJA

    Тепловое   Сопротивление, Ju nction-to-Ambient

    62

     

Запрос на продукт

Мы свяжемся с вами в течение одного рабочего дня. Следите за своей электронной почтой.

* Примечание. Убедитесь, что вы точно заполнили информацию и связь не прерывается. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Запрос сейчас

Мы свяжемся с вами в течение одного рабочего дня. Следите за своей электронной почтой.

Отправить сейчас