1 мкФ буферный абсорбционный конденсатор IGBT 32,5 мм
Буферный абсорбционный конденсатор IGBT 1 мкФ, P=32,5 мм
Буферный абсорбционный конденсатор IGBT
Номинальная емкость (CN): 1 мкФ
Номинальное напряжение (UN): 1600 В пост.
Выброс напряжения (US): 2400 В t<100 мс
Product Number: YZPST-MKPD-MC 1UF1600VDC
Category:
ЗАПРОС
- Описание продукта
-
1uF буферный поглощающий конденсатор IGBT P=32,5 мм
Буферный поглощающий конденсатор IGBT
Номинальная емкость (CN): 1 мкФ
Номинальное напряжение (UN): 1600 В пост.
Пиковое напряжение (US): 2400 В t<100 мс
Характеристики Нормативные документы IEC 61071 (GB/T 17702) Номинальная емкость (CN) 1 мкФ Допуск по емкости ± 5% (J) Номинальное напряжение (UN) 1600V.dc Пиковое напряжение (US) 2400 В t<100 мс 1.1 UN 8 ч/день 1.15 UN 30 мин/день Перенапряжение 1.2 UN 5 мин/день 1.3 UN 1 мин/день Макс. ток (Imax) 25 А (40°C) Макс. пиковый ток (Ipeak) 1.1 кА Тангенс угла диэлектрических потерь (tanδ0) 2×10-4 Последовательное сопротивление (Rs) 6 мОм (100 кГц) Индуктивность (Ls) 28nH Ожидаемый срок службы 100000h Отказ 30 FIT Данные испытаний Испытательное напряжение между выводами (UT-T) 1.5 UN/10 с Испытательное напряжение между выводами и корпусом (UT-C) 4000V.ac/10s Тангенс угла потерь (tanδ) ≤1×10-3 (1 кГц) Сопротивление изоляции (@20°C, 100 В, 1 мин) IR≥15000 МОм (CN ≤0,33 мкФ) IR×CN ≥ 5000 с (CN >0,33 мкФ) Экологические данные Рабочая температура -40°C ~ +85°C Температура хранения -40°C ~ +85°C Климатическая категория 40/85/21 Охлаждение Естественное охлаждение Макс. высота 2000m Контурный рисунок Длина (L) 57,5 мм Глубина (D) 30mm Высота (H) 45mm Расстояние между центрами (P) 32,5 мм
Запрос на продукт
Мы свяжемся с вами в течение одного рабочего дня. Следите за своей электронной почтой.
* Примечание. Убедитесь, что вы точно заполнили информацию и связь не прерывается. Мы свяжемся с вами как можно скорее.